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石墨烯是sp2碳原子緊密堆積形成的六邊形蜂窩狀結構二維原子晶體,具有高電導率和熱導率、高載流子遷移率、自由的電子移動空間、高強度和剛度等優(yōu)勢,將在微納電子器件、光電檢測與轉換材料、結構和功能增強復合材料及儲能等廣闊的領域得到應用;在半導體產業(yè)、光伏產業(yè)、鋰離子電池、航天、軍工、新一代顯示器等傳統(tǒng)領域和新興領域都將帶來革命性的技術進步,一旦量產必將成為下一個萬億級的產業(yè)。 然而,石墨烯物理性質研究和器件應用的快速發(fā)展對材料的制備和表征提出了新的要求,自從石墨烯發(fā)現(xiàn)以來,各種表征方法被廣泛地用于石墨烯材料的研究。拉曼光譜是一種快速無損的表征材料晶體結構、電子能帶結構、聲子能量色散和電子-聲子耦合的重要的技術手段,具有較高的分辨率,是富勒烯、碳納米管、金剛石研究中受歡迎的表征技術之一,在碳材料的發(fā)展歷程中起到了至關重要的作用。利用拉曼分析我們可以判斷石墨烯層數(shù)、堆落方式、權限、邊緣結構、張力和摻雜狀態(tài)等結構和性質。
上轉換熒光材料是一類在長波長光激發(fā)下能產生短波長光的發(fā)光材料,基于這個特點,上轉換發(fā)光材料在生物熒光標記、太陽能電池、紅外光電探測、激光及顯示等眾多領域具有巨大的應用前景。稀土摻雜的上轉換發(fā)光納米材料的激發(fā)光為紅外光,且生物組織的光透過窗口處于紅外波段,這意味著能夠有實現(xiàn)熒光探針體內發(fā)光。另外稀土摻雜的上轉換發(fā)光納米材料還具有發(fā)光靈敏性高,光穩(wěn)定性好,化學性質穩(wěn)定,生物毒性低等優(yōu)點。因此,稀土摻雜的上轉換發(fā)光納米材料有望成為理想的具有應用前景的生物熒光探針。
在半導體制造過程中,前期的全自動晶圓缺陷檢測技術非常重要。因為在后端的生產流程中,通常會有多片晶圓粘合到一起,或者把晶圓粘合到不透明的材料上。因為半導體材料對可見光都是不透明的,所以很難用可見圖像技術對粘合效果做表征或者檢測粘合表面的污染。近紅外檢測技術是在半導體工業(yè)的質量監(jiān)控一項有前途的新技術。本文重點介紹近紅外成像檢測技術在MEMS工業(yè)生產中發(fā)揮的重要性!
從上世紀90年代初開始,世界范圍內掀起了研究高亮度LED的熱潮,以它為基礎的固體照明正在迅猛發(fā)展。因為高亮度LED采用雙異質結構,要求材料具有良好的晶格匹配,這個要求對用于異質結LED的材料體系提出了嚴格的限制。 Ⅲ-Ⅴ族氮化物半導體材料,擁有優(yōu)良的光電性質,化學性質非常穩(wěn)定,可在?高溫、酸堿、輻射環(huán)境下使?用,并且禁帶寬度大,因此在大功率的電子器件方面頗具吸引力,已引起了國內外眾多研究者的興趣。人們感興趣的Ⅲ-Ⅴ族氮化物是AIN、GaN、InN及其合金,通過控制它們各自的組份,其禁帶寬度可從InN的0.7eV到GaN的3.4eV直到AlN的6.2eV連續(xù)變化,覆蓋了整個可見光區(qū),并擴展到紫外范圍,適合制備高亮度LED。
氧化亞銅為一價銅的氧化物,是鮮紅色粉末狀固體,幾乎不溶于水,在酸性溶液中化為二價銅。它是一種重要的P型半導體材料,禁帶寬度僅為2.1eV,光電轉換效率可達到18%。1998年氧化亞銅被發(fā)現(xiàn)可作為催化劑在陽光下將水分解成氫氣和氧氣,證明是一種極具前景的光催化氧化材料?,F(xiàn)今,隨著納米材料的發(fā)展,不僅已經制備各種尺寸及形貌的氧化亞銅微納米結構,還提出了多種形貌控制理論,如量子點、納米線、納米片、納米球、多面體、空心結構等。納米級的Cu2O還具有獨特的光學和磁學性質,在光電轉換、工業(yè)催化和氣體傳感器等方面也得到了廣泛的應用。