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本工作通過在p-GaN/n-Ga2O3外延層上制備了具有指狀n-Ga2O3層和叉指電極的PN-PDs，證明了此結(jié)構(gòu)可顯著增強器件性能，并深入分析了此結(jié)構(gòu)的內(nèi)在增強機制。這項工作不僅提出了一種高性能的PD，而且還研究了基于氧化鎵的PN-PD的關鍵參數(shù)的設計，為探索高性能的氧化鎵基PD提供了新思路。
光電器件的光生電荷產(chǎn)生與抽取是一個超快過程，因此光電器件的時間分辨表征能夠直接獲取器件中光生電荷的時間響應特性，為分析光生電荷微觀過程、光電轉(zhuǎn)化效率的提高提供實驗指導。本文介紹了卓立漢光基于穩(wěn)態(tài)光電測試開發(fā)的瞬態(tài)光電測試系統(tǒng)，為鈣鈦礦太陽能電池的測試提供多方位測量方法，滿足不同光電器件的瞬態(tài)測試需求
客戶論文
光電材料（太陽能電池）光譜響應測試，或稱量子效率QE（Quantum Efficiency）測試，或光電轉(zhuǎn)化效率IPCE (Monochromatic Incident Photon-to-Electron Conversion Efficiency) 測試等，廣義來說，就是測量光電材料的光電特性在不同波長光照條件下的數(shù)值，所謂光電特性包括：光生電流、光導等。本系統(tǒng)可對小面積探測器或者太陽能電池進行光譜響應，外量子效率等參數(shù)進行測試。同時也能測量探測器或者太陽能電池響應不均勻性。本裝置還可以測量太陽能電池的表面鏡反射比，并計算太陽能電池的內(nèi)量子效率。
客戶論文
與單晶或多晶Ga2O3相比，非晶Ga2O3材料具有明顯的成本優(yōu)勢。本研究開發(fā)出了一種具有超高性能和柵極可調(diào)光檢測能力的非晶Ga2O3日盲場效應光電晶體管，并對其光電性能進行了全面調(diào)研。射頻磁控濺射用于在經(jīng)濟的Si/SiO2襯底上沉積非晶GaOx薄膜。通過施加適當?shù)谋硸烹妷海╒G），可以很好地控制場效應光電晶體管的光電性能和暗電流。制成的日盲型GaOx薄膜場效應光電晶體管具有出色的深紫外光光電探測特性，包括4.1×103 AW-1的超高光敏性，2.5×1013?Jones的高探測率，以及極高的外量子效率。在70 μW cm-2的254 nm的弱光照下，外量子效率為2×106％，光電導增益為1.6×107。還揭示了光檢測特性取決于偏置電壓和光強度。另外，成功地展示了GaOx光電晶體管作為感測像素的日盲成像功能。獲得了目標的清晰圖像，這是有關非晶GaOx?探測器日盲成像的第一次報道。這些結(jié)果，加上其易于制造和低成本，使得該日盲非晶GaOx薄膜場效應光電晶體管有望用于下一代光電成像應用。
客戶論文
由于可以廣泛用于光學成像，空間光通信，導彈制導和定位導航等領域，作為現(xiàn)代光電設備中關鍵組件的光電探測器（PD）近年來已引起越來越多的研究興趣。目前，商用光電探測器主要基于Si光電二極管，是因為它的低成本和與高度成熟的硅工藝帶來的高度兼容性。在280 nm以下的波長下工作的深紫外光電探測器（深紫外光PD）尚未十分成熟，它們是近年來在火焰探測，導彈預警系統(tǒng)，機密空間通信，深紫外線成像機方面具有潛在應用的研究熱點。能隙為4.7-4.9 eV的Ga2O3材料，由于其高輻射耐受性，高熱穩(wěn)定性和化學穩(wěn)定性以及在深紫外區(qū)域的強吸收性，是未來有發(fā)展前景的深紫外光PD的候選項。
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