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導言
α-Ga2O3因其寬帶隙以及卓越的化學和物理特性，在光探測器領域受到了越來越多的關注。作者通過經(jīng)濟實惠且基于非真空的霧化學氣相沉積（Mist-CVD）技術，成功在藍寶石基底上沉積了硅摻雜α-Ga2O3單晶外延薄膜。利用這種薄膜制備了一個性能出色的指狀金屬-半導體-金屬（MSM）光探測器。在254納米光照和20伏偏壓下，該光探測器具有高亮暗電流比、高響應度、高探測度以及高外部量子效率。這些結果表明，硅摻雜α-Ga2O3薄膜在高性能光探測器應用中具有巨大的潛力。
分享一篇來自山東大學馮華鈺老師的新研究成果，本文以“High-performance solar-blind photodetector based on Si-doped α-Ga2O3 thin films grown by mist chemical vapor deposition”為題發(fā)表于期刊Journal of Alloys and Compounds，原文鏈接：https://doi.org/10.1016/j.jallcom.2024.175593 希望能對您的科學研究或工業(yè)生產(chǎn)帶來一些靈感和啟發(fā)。
正文
由于平流層臭氧層的強吸收能力，幾乎沒有低于280納米的太陽輻射光子到達地球表面，這個波段被稱為日盲區(qū)。在這個波段工作的探測器對紫外線更敏感，對可見光和紅外輻射響應較少。因此，它們被廣泛應用于火災預警、導彈預警、生化檢測、安全通信等軍事和民用領域。對于這些應用，日盲紫外線探測器需要具有高光響應性和快速響應速度。近年來，為了開發(fā)深紫外日盲探測器，人們探索了多種材料，包括AlGaN、MgZnO、金剛石、Ga2O3等。氧化鎵是一種多形態(tài)、超寬帶隙半導體材料（4.6-5.3電子伏特），主要包括α、γ、β、ε、σ等，它們具有不同的晶體結構：剛玉結構、尖晶石結構、單斜晶體、正交晶體和立方晶體系統(tǒng)。在這些不同的晶體相中，β-Ga2O3具有*穩(wěn)定的晶體結構，可以通過多種工藝制備。與β-Ga2O3相比，α-Ga2O3具有更高的帶隙寬度（約5.3電子伏特）、更高的擊穿電場強度、更優(yōu)越的物理和化學性質，已成為一種有前途的寬帶隙半導體材料。此外，其光學吸收邊緣位于深紫外光譜區(qū)域（200-280納米），其帶隙無需通過復雜和不可控的合金化過程進行調整，使其成為日盲探測的優(yōu)秀候選材料。
在過去幾年中，許多研究報告了利用α-Ga2O3的日盲光探測器，這些探測器通常表現(xiàn)出低暗電流和高響應性。然而，α-Ga2O3光探測器的性能并不完美，摻雜是提高光電性能的有效方法。Si作為摻雜劑在導電α-Ga2O3的生長中具有潛在應用，顯示出更高的電導率和更低的調控載流子濃度，可以提高其電導率。不幸的是，由于難以獲得體材料，α-Ga2O3通常通過異質外延獲得，例如分子束外延、原子層沉積、金屬有機化學氣相沉積、氫化物氣相外延等。與上述方法相比，霧化學氣相沉積（Mist-CVD）作為一種簡單、安全、經(jīng)濟、低能耗的生長技術，在氧化物半導體薄膜的生產(chǎn)中具有很大的優(yōu)勢。此外，具有剛玉結構的α-Ga2O3作為α-Ga2O3異質外延基底的高適應性使其能夠在廉價的藍寶石基底上進行大規(guī)模異質外延。
在這項工作中，作者通過霧化學氣相沉積在藍寶石上沉積了α-Ga2O3薄膜，并用氯代（3-氰丙基）二甲基硅烷[ClSi(CH3)2((CH2)2CN)]摻雜。通過在硅摻雜的α-Ga2O3薄膜上蒸發(fā)指狀Ti/Au電極，通過電子束蒸發(fā)制備了MSM光探測器。該設備表現(xiàn)出色。由于其出色的光電性能和低生產(chǎn)成本，硅摻雜的α-Ga2O3薄膜在下一代光電領域具有廣闊的應用前景。
研究結果與討論
圖1(a)展示了在黑暗中用不同比例Si/Ga原子的硅摻雜α-Ga2O3薄膜制備的MSM光電探測器的電流-電壓（I-V）特性。在20V下，所有光電探測器都顯示出低暗電流。在Si-Ga原子比例較低時，暗電流（Idark）隨Si含量增加而變化不大。當Si-Ga原子比例較高（4%）時，暗電流增加了近一個數(shù)量級，這主要與Si作為有效電子供體的數(shù)量有關。在254納米紫外光下，所有設備的光電流（Ilight）比相應的暗電流大幾個數(shù)量級，如圖1(b)所示。圖1(c)-1(f)顯示了所有MSM光電探測器在黑暗條件和254納米紫外輻照下的對數(shù)I-V曲線，顯示出明顯的光響應。硅摻雜α-Ga2O3光電探測器在254納米下的光電響應可以歸因于Urbach尾態(tài)吸收。
圖1. 在(a)黑暗和(b)254納米光照下，不同溶液中Si-Ga原子比例的樣品顯示出線性I-V特性。α-Ga2O3紫外探測器在黑暗和254納米光照下的I-V特性：(c) 0.3%，(d) 1%，(e) 2%和(f) 4%硅摻雜α-Ga2O3。
為了研究硅摻雜α-Ga2O3薄膜光電探測器的響應速度，測量了不同器件在5V和20V偏壓下的瞬態(tài)響應，如圖2(a)和2(b)所示。在測量過程中，使用254納米和20μW/cm²紫外光作為光源，并且每10秒重復開關。經(jīng)過幾次照明周期后，器件仍然顯示出幾乎相同的響應，表明光電探測器具有出色的可重復性和穩(wěn)定性。通常，光電探測器的響應和衰減曲線表現(xiàn)出兩個不同的組成部分：快速響應和慢速響應?？焖夙憫獣r間與光生載流子的產(chǎn)生和復合相關，這取決于電極之間的電子傳輸。慢速響應時間與薄膜中缺陷捕獲和釋放載流子相關。
圖2. 在254納米和20微瓦/平方厘米光照射下，不同溶液中Si-Ga原子比例的α-Ga2O3:Si光電探測器在偏壓(a) 5V和(b) 20V下的光響應的時間變化特性。在5V偏壓下，254納米、20微瓦/平方厘米光照中單周期內(c) 0.3%，(d) 1%，(e) 2%和(f) 4%的瞬態(tài)響應的放大。
圖2(c)-2(f)顯示了所有樣品在開關周期內瞬態(tài)響應的相應上升時間(τr1/τr2)和下降時間(τd1/τd2)。值得注意的是，與其它低濃度樣品相比，當溶液中Si/Ga原子比例為4%時，器件的上升和下降時間更快。這與光生載流子被缺陷捕獲有關。由于α-Ga2O3薄膜與基底在異質外延生長過程中的晶格失配，外延薄膜受到藍寶石基底的平面壓縮應力的影響，并且在界面處周期性地發(fā)生失配錯位。這里，作者推測低摻雜濃度樣品中存在更多的陷阱和缺陷，缺陷在薄膜中捕獲載流子，導致載流子壽命延長和響應時間增加，與之前的分析一致。
圖3. MSM光電探測器載流子傳輸和能帶示意圖：(a) 低摻雜濃度在黑暗條件下，(b) 高摻雜濃度在黑暗條件下，以及 (c) 紫外光條件下。
圖3展示了硅摻雜α-Ga2O3薄膜光電探測器的工作機制。根據(jù)之前的報告，摻雜方法不會導致極性光學聲子和雜質的散射，這些是影響遷移率的主要因素。相反，Si4+替代Ga3+通過減少α-Ga2O3外延薄膜中的位錯和缺陷來提高晶體質量，從而進一步增加載流子遷移率。隨著Si4+摻雜濃度的增加，載流子濃度增加，α-Ga2O3與金屬Ti/Au之間的勢壘高度降低（圖3(a)和3(b)）。當紫外光照射時，價帶中的電子獲得能量并躍遷到導帶成為導電電子，同時在價帶中留下導電空穴，如圖3(c)所示。在相同的偏壓條件下，高摻雜濃度的樣品可以表現(xiàn)出更大的光/暗電流比和更快的載流子遷移。更快的遷移率使得缺陷捕獲載流子的可能性降低。另一方面，與低摻雜濃度的樣品相比，Si的摻雜濃度可以減少薄膜中的陷阱和缺陷數(shù)量，提高薄膜質量，降低載流子壽命，并實現(xiàn)更快的光響應。
圖4. α-Ga2O3光電探測器在不同Si/Ga原子比例下的光譜響應度。
圖4以及本研究中的光譜響應度信號數(shù)據(jù)使用卓立漢光公司的DSR300微納器件光譜響應度測試系統(tǒng)測試得到。其功能全面，提供多種重要參數(shù)測試。系統(tǒng)集成高精度光譜掃描，光電流掃描以及光響應速率測試。40μm探測光斑，實現(xiàn)百微米級探測器的絕對光譜祥響應度測量，能滿足不同探測器測試功能的要求，是微納器件研究的優(yōu)選。
總結和結論
作者通過簡單、安全、經(jīng)濟、低能耗的霧化學氣相沉積（Mist-CVD）技術制備了源自硅摻雜α-Ga2O3外延薄膜的日盲MSM光電探測器。利用*佳硅摻雜α-Ga2O3薄膜（溶液中Si/Ga原子比例為4%）的光電探測器在20V偏壓和254納米光照下展現(xiàn)出卓越的整體性能，具有3.24×106的光暗電流比、3.23×102 A/W的響應度、8.80×1015 Jones的探測度和1.58×105 %的外部量子效率。作者的工作表明，利用無需真空、成本可承受的Mist-CVD系統(tǒng)生長硅摻雜α-Ga2O3薄膜，是日盲深紫外探測應用的一個有前景的方向。
山東大學馮華鈺老師簡介
馮華鈺，副研究員，碩士生導師。主要從事微納加工、納米光學、半導體材料和器件等方面的研究，以第一作者在Adv. Opt. Mater.（內封面文章）, Nanoscale, APL, Opt. Express（編輯高亮文章）等雜志上發(fā)表多篇文章；正在主持包括國家自然科學基金青年項目、中國博士后科學基金特別資助等在內的四項國家和省部級項目；多次在PIERS、META等著名國際會議上做口頭報告。
教育經(jīng)歷：
2012年9月-2017年5月，西班牙馬德里自治大學/馬德里微電子研究所/馬德里先進研究院，凝聚態(tài)物理，博士，導師：羅鋒 研究員/Alfonso Cebollada教授
2009年9月-2012年6月，山東大學，材料物理與化學，碩士，導師：陶緒堂 教授
2005年9月-2009年6月，山東大學，微電子學，學士；
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