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寬場(chǎng)熒光顯微成像模組

以自動(dòng)化顯微鏡模組為基礎(chǔ),針對(duì) SiC 等化合物半導(dǎo)體晶圓位錯(cuò)、層錯(cuò)等缺陷檢測(cè)需求
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產(chǎn)品概述
寬場(chǎng)熒光顯微成像模組
Wide-field Fluorescence Microscope Module
• 以自動(dòng)化顯微鏡模組為基礎(chǔ),針對(duì)SiC等化合物半導(dǎo)體晶圓位錯(cuò)、層錯(cuò)等缺陷檢測(cè)需求。
• 無須化學(xué)腐蝕、解理等樣品前處理工藝,非接觸、無損、整晶圓檢測(cè)。
產(chǎn)品特性和核心技術(shù):
激光自動(dòng)聚焦。
• 自主研制的激光輔助離焦量傳感器。
• 可在紫外激發(fā)光照射樣品并采集熒光信號(hào)的同時(shí)工作,實(shí)現(xiàn)自動(dòng)聚焦和表面跟蹤。
紫外暗場(chǎng)照明。
• 標(biāo)配波長(zhǎng)275 nm紫外激發(fā)光,可按用戶要求定制其它波長(zhǎng)激發(fā)光。
• 可同位采集明場(chǎng)顯微像、可見光波段暗場(chǎng)熒光像、紅外波段暗場(chǎng)熒光像,分析樣品中位錯(cuò)、層錯(cuò)等晶格缺陷的分布。
全自動(dòng)操作。
• 自動(dòng)化的控制軟件和數(shù)據(jù)處理軟件,全軟件操作。
相關(guān)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn):
• 《中華人民共和國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)GB_T 43493.3-2023 半導(dǎo)體器件 功率器件用碳化硅同質(zhì)外延片缺陷的無損檢測(cè)識(shí)別判據(jù) 第3部分:缺陷的光致發(fā)光檢測(cè)方法》(2023年12月28日發(fā)布,2024年7月1日實(shí)施)
 
性能參數(shù):

熒光激發(fā)和收集模塊

激發(fā)波長(zhǎng)

275 nm

自動(dòng)對(duì)焦

在全掃描范圍自動(dòng)聚焦和實(shí)時(shí)表面跟蹤。

對(duì)焦精度<0.2微米。

顯微鏡

2x, 5x ,10x, 50x, 100x物鏡可選。

空間分辨率:10x 物鏡< 2 μm,100x物鏡< 0.5 μm。

熒光波長(zhǎng)范圍

可見:400-700nm

紅外:685-1100nm

熒光像視場(chǎng)

2x物鏡:8×8 mm;10x物鏡:1.6×1.6 mm;100x物鏡:0.16×0.16 mm。

樣品移動(dòng)和掃描平臺(tái)

平移臺(tái)

掃描范圍大于300×300 mm。

樣品臺(tái)

8寸吸氣臺(tái)(12寸可定制),可兼容2、4、6、8寸晶圓片。

軟件

控制軟件

可選擇區(qū)域或指定點(diǎn)位進(jìn)行明場(chǎng)和暗場(chǎng)熒光像的自動(dòng)采集和存儲(chǔ)。

數(shù)據(jù)分析

識(shí)別晶體中的沾污、劃痕、微管、腐蝕坑類型、基面位錯(cuò)、堆積層錯(cuò)等

 
應(yīng)用案例:
6英寸SiC外延片缺陷檢測(cè)
堆疊層錯(cuò)(SF)
基面位錯(cuò)(BPD)