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硅光電探測(cè)器:DSi200/Dsi300
DSi200/DSi300均為電流輸出模式的光電探 測(cè)器,在接入示波器、鎖相放大器等要求電壓輸入的信號(hào)處理器前,建議采用I-V跨導(dǎo)放大器做為前級(jí)放大并轉(zhuǎn)換為電壓信號(hào),標(biāo)明可輸入電流信號(hào)的信號(hào)處理器可直接接入信號(hào),但仍建議增加前置放大器以提高探測(cè)靈敏度;
DSi200/DSi300配合DCS300PA數(shù)據(jù)采集系 統(tǒng)使用時(shí),由于DCS300PA雙通道已集成信號(hào)放大器,故可不再需要另行選配前置放大器。
TE制冷型銦鎵砷探測(cè)器(DInGaAs)
DInGaAs系列和DInGaAs-TE系列銦鎵砷探測(cè)器均為電 流輸出模式的光電探測(cè)器,在接入示波器、鎖相放大器等要求電壓輸入的信號(hào)處理器前,建議采用I-V跨導(dǎo)放大器ZAMP做為前級(jí)放大并轉(zhuǎn)換為電壓信號(hào);標(biāo)明可輸入電流信號(hào)的信號(hào)處理器可直接接入信號(hào),但仍建議增加前置放大器以提高探測(cè)靈敏度;
DInGaAs系列和DInGaAs-TE系列銦鎵砷探測(cè)器配合 DCS300PA數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)使用時(shí),由于DCS300PA雙通道已集成信號(hào)放大器,故可不再需要另行選配前置放大器;
制冷型DInGaAs-TE系列銦鎵砷探測(cè),在制冷模式時(shí)須 使用溫控器(型號(hào):ZTC)進(jìn)行降溫控制;
砷化銦探測(cè)器(InAs)
DInAs3800-TE為電流輸出模式的光電探測(cè)器,在接入示波器、鎖相放大器等要求電壓輸入的信號(hào)處理器前,建議采用I-V跨導(dǎo)放大器做為前級(jí)放大并轉(zhuǎn)換為電壓信號(hào),標(biāo)明可輸入電流信號(hào)的信號(hào)處理器可直接接入信號(hào),但仍建議增加前置放大器以提高探測(cè)靈敏度;
DInAs3800-TE配合DCS300PA數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)使用 時(shí),由于DCS300PA雙通道已集成信號(hào)放大器,故可不再需要另行選配前置放大器;
制冷型DInAs3800-TE砷化銦探測(cè)器,使用在制冷 模式時(shí)須使用溫控器(型號(hào):ZTC)進(jìn)行降溫控制,ZTC型提供二級(jí)制冷功率,不可調(diào)整。
DInAs3800-TE內(nèi)裝進(jìn)口TE制冷型探測(cè)元件
銻化銦探測(cè)器(InSb)
銻化銦探測(cè)器為液氮制冷型近/中紅外探測(cè)器,為了方 便與卓立漢光光譜儀連接,液氮杜瓦瓶被放置于DEC 系列杜瓦探測(cè)器室內(nèi);
DInSb5-De02不集成前置放大器,建議在使用時(shí)配 置前置放大器,推薦型號(hào)ZPA-7,配合鎖相放大器(Page98)進(jìn)行數(shù)據(jù)采集可獲得更好的探測(cè)性能;
DInSb5-HS為高速響應(yīng)的探測(cè)器,集成了20MHz頻寬 的前置放大器,可用于紅外時(shí)間分辨測(cè)量,可直接接駁示波器用于ns高速探測(cè);
此系列產(chǎn)品使用時(shí)所需的液氮需用戶(hù)自備;杜瓦瓶充 滿(mǎn)液氮,保持時(shí)間通常為8小時(shí)以上。
碲鎘汞探測(cè)器(MCT)
DMCT(x)-De和DMCT12-HS碲鎘汞探測(cè)器為液氮制冷 型中/遠(yuǎn)紅外探測(cè)器,為了方便與卓立漢光光譜儀連接,液氮杜瓦瓶被放置于DEC-(x)系列杜瓦探測(cè)器室內(nèi),x為不同型號(hào)杜瓦瓶的型號(hào);
DMCT(x)-De系列不集成前置放大器,使用時(shí)需要配 置前置放大器,推薦型號(hào)ZPA-101或ZPA-300,并且必須配合鎖相放大器使用;
DMCT12-HS為高速響應(yīng)的探測(cè)器,集成了50MHz帶 寬的前置放大器,用于紅外時(shí)間分辨測(cè)量,可直接接駁示波器使用,光敏面尺寸為1mm,另有0.5mm 和0.1mm可選,尺寸越小,響應(yīng)速度越快,*快可達(dá)到3.5ns;
液氮需客戶(hù)自備;杜瓦瓶充滿(mǎn)液氮,保持時(shí)間通常為 8小時(shí)以上;
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