現(xiàn)代氣相工藝的污染控制要求不斷推動(dòng)四極氣體分析儀的性能極限。四極子技術(shù)正在迅速發(fā)展，并適應(yīng)較低污染水平的規(guī)格。在選擇特定應(yīng)用的傳感器時(shí)，充分了解影響目前不同氣體分析系統(tǒng)的檢測(cè)能力的各種因素是一個(gè)必要的工具。與通常的情況一樣，大多數(shù)選擇都涉及到妥協(xié)，而充分了解與不同檢測(cè)器配置相關(guān)的基本權(quán)衡將使錯(cuò)誤最小化并最大化生產(chǎn)力。
所有的氣相處理裝置都可以受益于添加一個(gè)四極氣體分析儀。由匹配良好的探測(cè)器提供的信息迅速成為該過程中不可分割的組成部分，大大減少了傳統(tǒng)上屬于大多數(shù)真空故障排除程序的估算測(cè)量。隨著四極桿氣體分析儀變得越來越便宜，它們正迅速在所有需要嚴(yán)格控制工藝氣體污染水平的行業(yè)中變得普遍。智能軟件界面、較低的檢測(cè)限制和較低的擁有成本是現(xiàn)代儀器中需要尋找的一些功能。
本文的以下部分描述了開放和封閉離子源四極桿質(zhì)譜儀的性能規(guī)范。這些信息的主要目的是介紹為任何氣相應(yīng)用選擇正確的分析儀所需的基本概念，并提出一些必須牢記的基本工作原理，以確保所選儀器的最佳性能。
殘余氣體分析儀析
典型的殘余氣體分析儀（RGA）有一個(gè)開放的離子源（OIS），并直接安裝在一個(gè)真空室上，使整個(gè)傳感器與真空系統(tǒng)的其余部分處于相同的壓力下。較小的物理尺寸使得將RGA連接到幾乎任何真空系統(tǒng)都成為可能，包括研究和工藝設(shè)置。最大工作壓力為10-4Torr。對(duì)于配備電子倍增器的裝置，最小可檢測(cè)分壓（通常為N2在28amu處測(cè)量）低至10-14Torr。
在高真空應(yīng)用中，如研究室、表面科學(xué)裝置、加速器、航空航天室、掃描顯微鏡、放氣室等，RGAs被有效地用于監(jiān)測(cè)真空質(zhì)量，它們甚至可以很容易地檢測(cè)到低壓氣體環(huán)境中最微小的雜質(zhì)。痕量雜質(zhì)可以測(cè)量到10-14Torr水平，在沒有背景干擾的情況下，可以進(jìn)行亞ppm的檢測(cè)。在系統(tǒng)故障排除過程中，RGAs也被用作非常靈敏的原位氦泄漏探測(cè)器。
在半導(dǎo)體行業(yè)中，RGA最好用于蒸發(fā)器、濺射器、蝕刻器或任何其他高真空系統(tǒng)，這些系統(tǒng)通常被泵送到低于10-5Torr。他們的主要應(yīng)用是在任何晶圓投入生產(chǎn)之前檢查真空密封的完整性和真空的質(zhì)量?？諝庑孤?、虛擬泄漏和許多其他污染物在非常低的水平上很容易破壞晶圓，并且必須在工藝啟動(dòng)之前被檢測(cè)到。隨著半導(dǎo)體工藝變得更加復(fù)雜，它們對(duì)污染物的容忍度也變得越低。工藝室中的殘余氣體分析增加了正常運(yùn)行時(shí)間和生產(chǎn)產(chǎn)量，并降低了擁有成本。
圖1：OIS示意圖
開放的離子源（OIS）
在大多數(shù)商用RGAs中使用的標(biāo)準(zhǔn)離子源是開放離子源（OIS）。這種電離器被認(rèn)為是RGA的“全做”源。自20世紀(jì)50年代初以來，它就一直呈圓柱形，軸向?qū)ΨQ的形式存在。通用的OIS設(shè)計(jì)原理圖如圖1所示。
OIS滲透到工藝腔室中。燈絲和陽極電離網(wǎng)對(duì)周圍的真空室“開放”。真空室中存在的所有分子都可以很容易地穿過離子源。電離器中的壓力與周圍真空的壓力相同，也與四極桿質(zhì)譜分析儀和離子探測(cè)器中的壓力相同。OIS對(duì)真空室中的所有氣體分子都是“開放的”。只要總壓力保持在10−4Torr以下，它就可以用來監(jiān)測(cè)和檢測(cè)氣體水平的變化。由于離子之間的空間電荷排斥力，較高的壓力會(huì)導(dǎo)致靈敏度的降低。
OIS的性能限制
OIS RGAs在不影響真空環(huán)境氣體成分的情況下測(cè)量殘留氣體水平。然而，必須記住一些潛在的問題，特別是當(dāng)傳感器被常規(guī)用于監(jiān)測(cè)微量雜質(zhì)（ppm和亞ppm水平）或超高真空（UHV，<10-9Torr）環(huán)境時(shí)。
下面列出了OIS RGA對(duì)其背景信號(hào)的不同貢獻(xiàn)方式，從而影響了傳感器的檢測(cè)能力。在適用的情況下描述最小化這些問題的方法。
除氣
從熱陰極計(jì)上排氣對(duì)高真空用戶來說并不是一個(gè)新問題。它也存在于貝亞德-阿爾伯特電離儀中，這種電離計(jì)在過去50年里真空室中一直很常見。在大多數(shù)情況下，排氣只會(huì)影響被測(cè)量的氣體混合物的組成。然而，在某些情況下，放氣可能是一個(gè)嚴(yán)重的問題，甚至?xí)绊憣?shí)驗(yàn)或過程的結(jié)果。排氣
OIS是一種熱陰極離子源。燈絲（陰極）必須加熱到高溫（>1300°C），以建立電子發(fā)射電流。在高真空中，加熱燈絲所需的大部分能量通過輻射過程耗散到周圍環(huán)境中。因此，整個(gè)電離器和相鄰的真空壁面“發(fā)熱”。升高的溫度導(dǎo)致OIS本身和來自相鄰的腔壁的排氣增加。排氣釋放的氣體可以降低許多重要物種的OISRGA的最小可檢測(cè)分壓（MDPP），包括H2、H2O、N2、CO和二氧化碳。電離器可以幫助最小化一些背景信號(hào)；然而，這通常只是一個(gè)臨時(shí)的解決方案。
一些RGA供應(yīng)商提供其OIS的UHV版本，其陽極（有時(shí)是整個(gè)電離器組件）由鉑包層鉬線制成。這種高度惰性的材料對(duì)許多氣體的吸附量降低，并減少了出氣和ESD。
水氣是一種常見的干擾，尤其重要，因?yàn)樗窃S多高真空工藝的嚴(yán)重污染源。在超過200°C的長(zhǎng)期烘烤是減少OIS RGA中水氣的最佳選擇。
在OIS電極排出的H2氣體可能會(huì)讓UHV狀態(tài)下的用戶擔(dān)心，在UHV狀態(tài)下，殘留的氫通常占總氣體混合物成分的95 %。H2溶解在大多數(shù)300系列不銹鋼中，很容易從熱OIS電極排出。OIS對(duì)H2背景的貢獻(xiàn)取決于其組成，使用鉑包覆蓋件可以顯著減少。在所有情況下，隨著氣體從電極中耗盡，影響會(huì)隨著時(shí)間的推移而減弱。
電子激發(fā)解吸（ESD）
即使在RGA被徹底烘烤后，也經(jīng)常在12、16、19和35 amu處觀察到峰，這是由OIS內(nèi)部表面的ESD形成的，而不是由氣體物質(zhì)的電子沖擊電離形成的。ESD對(duì)RGA性能的影響類似于排氣。
我們可以采取以下幾個(gè)步驟來最小化其影響：
*高電子能量脫氣——通常是商業(yè)儀器的一種選擇
*鍍金離子器——可以減少許多氣體的吸附，從而降低了ESD效應(yīng)。使用鉑包層覆蓋的鉬離子器也是一種替代選擇。
*減少了電子束的范圍。
*減少OIS的表面積——使用金屬絲網(wǎng)代替固體穿孔金屬
*避免將離子發(fā)生器暴露在氯和氟化合物中。
背景干擾
與電離器相比，四極質(zhì)量過濾器組件具有較大的表面積，即使在運(yùn)行過程中不像電離器那么熱，它仍然可以排氣。OIS和傳感器都暴露在相同的真空環(huán)境中，這使得電離器對(duì)四極桿組件的其余部分排出的雜質(zhì)非常敏感。對(duì)于許多RGA用戶（特別是在UHV范圍內(nèi)）來說，一個(gè)嚴(yán)重的問題是水從未烘焙的RGA中排氣。然而，許多其他物質(zhì)也會(huì)影響背景讀數(shù)。例如，如果傳感器最近暴露在大量的氣體中（因?yàn)樗晃皆赟S表面和解吸只是非常緩慢），可以預(yù)期高Ar背景。
電離發(fā)生器對(duì)在熱燈絲中產(chǎn)生的雜質(zhì)也很敏感。氣體分子在燈絲表面會(huì)發(fā)生熱裂解和化學(xué)反應(yīng)，反應(yīng)的產(chǎn)物很容易進(jìn)入電離區(qū)。以這種方式產(chǎn)生的雜質(zhì)通常是離子發(fā)生器表面污染的一個(gè)重要來源，并對(duì)RGA的長(zhǎng)期穩(wěn)定性有嚴(yán)重影響。例如，CO和CO2是由大多數(shù)熱燈絲發(fā)出的，很容易進(jìn)入電離器和真空系統(tǒng)。
定期烘烤是盡量減少這個(gè)問題的最有效的方法。在200°C烘烤通?？梢越鉀Q大多數(shù)污染問題。如果問題仍然存在，則可能需要清潔和/或翻新四極桿傳感器。
分壓系統(tǒng)（PPR）
RGAs并不局限于對(duì)壓力低于10-4Torr時(shí)的氣體的分析。借助分壓泵、減壓氣體進(jìn)口系統(tǒng)（PPR）可以對(duì)更高的氣體壓力進(jìn)行采樣，該系統(tǒng)包括分壓泵和真空泵。常規(guī)的分壓是針孔和毛細(xì)管，它們可以提供超過6個(gè)數(shù)量級(jí)的壓力降低。真空泵通常由一個(gè)前級(jí)泵和渦輪分子泵組成。RGA、進(jìn)氣系統(tǒng)和泵站構(gòu)成了通常稱為分壓系統(tǒng)（PPR）。這些氣體取樣系統(tǒng)在氣相過程中很常見，可以從幾個(gè)RGA供應(yīng)商那里獲得。如果設(shè)計(jì)得當(dāng)，PPRs可以從頭到尾監(jiān)控流程，為每一步都提供必要的信息。
圖2中描述的PPR系統(tǒng)是一個(gè)典型的減壓裝置的示例，用于將過程壓力降低到OIS RGA可接受的水平。PPR包含到RGA的兩個(gè)入口路徑：用于監(jiān)測(cè)基礎(chǔ)真空的高電導(dǎo)率路徑（Hi-C），以及用于監(jiān)測(cè)工作壓力下的氣體的低電導(dǎo)率路徑（Lo-C）。
當(dāng)真空系統(tǒng)的壓力低于10−4Torr時(shí)，使用高電導(dǎo)率路徑。在高真空條件下，典型的應(yīng)用是進(jìn)行泄漏測(cè)試和監(jiān)測(cè)腔室的極限真空。例如，在濺射室中，該過程的第一階段是泵至小于10−6Torr。此時(shí)，RGA可用于檢查背景質(zhì)量的泄漏和污染物。一旦真空質(zhì)量令人滿意，濺射腔室以幾毫托回填氬氣，并開始濺射。
當(dāng)工藝室的壓力超過10−4Torr時(shí)，使用低電導(dǎo)率路徑。該路徑包含一個(gè)微孔節(jié)流孔，可將壓力降低數(shù)個(gè)量級(jí)到適合RGA的水平（通常在10−5Torr左右）?？讖娇捎糜诟哌_(dá)10Torr的工作壓力。有時(shí)會(huì)使用一組節(jié)流孔（或一個(gè)可調(diào)節(jié)的計(jì)量閥）來調(diào)節(jié)減壓系數(shù)，以適應(yīng)整個(gè)過程中的不同壓力。例如，在濺射過程中，Lo-C路徑可用于監(jiān)測(cè)水蒸氣和碳?xì)浠衔锏乃?，以確保它們不會(huì)超過降低濺射膜質(zhì)量的某些臨界水平。
分子泵將氣體通過節(jié)流孔輸送到RGA，形成壓降。在這些系統(tǒng)中使用的泵通常是非常緊湊，無油和低維護(hù)。
對(duì)于高于10 Torr的壓力，進(jìn)入單級(jí)PPR（如圖2樣品樣側(cè)所示）的氣體流速變得非常小，響應(yīng)時(shí)間變慢，無法做出任何實(shí)際的測(cè)量。在這種情況下，雙級(jí)旁通抽氣取樣采樣系統(tǒng)，具有更大的氣體流速和更快的響應(yīng)速度，是比單級(jí)PPR更好的選擇。旁通抽氣取樣采樣系統(tǒng)，具有取中壓分析的方式，能夠分析幾個(gè)大氣壓的氣體混合物，可從幾個(gè)RGA供應(yīng)商獲得該系統(tǒng)。
圖2：PPR進(jìn)口系統(tǒng)
PPR系統(tǒng)的性能限制
PPR在低于10 Torr壓力下的可以很好的進(jìn)行氣體取樣，它們提供的信息通常用于診斷和控制各種行業(yè)中的氣相過程。隨著價(jià)格的下跌和技術(shù)的發(fā)展，這些儀器正在不斷地尋找新的應(yīng)用領(lǐng)域。
大量的PPR系統(tǒng)專門用于檢測(cè)氣體混合物中的微量雜質(zhì)。OIS RGAs有足夠的靈敏度和動(dòng)態(tài)范圍來檢測(cè)百萬分之一（ppm）級(jí)別的污染物。然而，來自過程氣體的干擾和來自傳感器本身的背景干擾使PPR在實(shí)踐中很難檢測(cè)到ppm級(jí)別的雜質(zhì)。
背景干擾
分析儀腔室中存在的背景氣體可以掩蓋一些重要?dú)怏w（H2、H2O、N2、CO和CO2）的MDPPs。
背景氣體是由于排氣、電子激發(fā)解吸和泵浦系統(tǒng)的有限壓縮比。
為了最好地說明這一點(diǎn)，以10−2TorrAr濺射過程中的水的分析為例。在過程監(jiān)測(cè)期間，質(zhì)譜儀通常運(yùn)行在約10−5Torr下，對(duì)應(yīng)于PPR的Lo-C路徑的降低了3個(gè)數(shù)量級(jí)。壓降使工藝室中1 ppm的水達(dá)到質(zhì)譜儀中的分壓約10−11Torr（完全在典型RGA的檢測(cè)限范圍內(nèi)）。然而，由于質(zhì)譜儀與工藝氣體分離，PPR室中的殘余壓力最多為10−9Torr（其中大部分是水）。該水位比工藝室中1 ppm的水對(duì)應(yīng)的10−11Torr大100倍，這意味著在這些“常見”的操作條件下，水蒸氣濃度不能被可靠地檢測(cè)或測(cè)量到100 ppm以上。
在分析過程中，將RGA室的工作壓力提高到5×10−5Torr ，MDPP極限可以提高到20 ppm。然而，在某些情況下，即使是20 ppm的MDPP限制也可能不夠低。添加一個(gè)具有大泵送速度的低溫泵，已被證明可以極大地減少PPR的四極室的水背景。然而，由于泵的高成本，這在實(shí)踐中很少這樣做。對(duì)于其他潛在的干擾氣體，也必須記住同樣的限制。為了在ppm水平檢測(cè)到任何物種（10mTorr過程中10−8Torr），PPR的殘余質(zhì)譜必須在該物種的峰對(duì)應(yīng)的質(zhì)量值處顯示小于10−11 Torr的壓力讀數(shù)。在大多數(shù)真空系統(tǒng)中，除非采取必要的預(yù)防措施以盡量減少所有污染源，否則不容易達(dá)到這種水平。對(duì)于50 amu以下的質(zhì)量，這個(gè)問題通常更為嚴(yán)重，因?yàn)樵跉堄噘|(zhì)譜中總是有背景峰。
盡管RGA本質(zhì)上能夠執(zhí)行亞ppm的測(cè)量，但在RGA的殘余質(zhì)譜中找到背景處于ppm水平的位置并不總是容易。
PPR中背景干擾的一個(gè)常見來源是傳統(tǒng)油泵回流到PPR室的污染。切換到一個(gè)完全無油的泵站，就消除了這個(gè)問題。
空氣的MDPP限值通常受到泵站的壓縮比的限制。在大多數(shù)PPR系統(tǒng)中，N2水平通常低于10−9Torr，氧水平大約低5倍。這相當(dāng)于在10 mTorr過程中，N2@28amm的MDPP水平高于20ppm，O2@32amu的MDPP水平高于4 ppm。
氫氣通常不可能在ppm的水平上檢測(cè)到，因?yàn)樗苋菀讖姆治鰞x上排出，而且它不能被大多數(shù)渦輪泵有效地泵送。一些用于最小化H2背景信號(hào)的技巧包括：使用Pt覆蓋鉬OIS，以及增加一個(gè)特殊的泵站，增加氫的泵送速度。
工藝氣體干擾
在一個(gè)典型的基于OIS RGA的PPR系統(tǒng)中，ppm檢測(cè)水平的另一個(gè)限制是由來自被分析的相同工藝氣體的干擾造成的。
說明這一點(diǎn)的最好方法是回到10 mTorr Ar濺射過程中的水分析的例子。我們發(fā)現(xiàn)，檢測(cè)超過20 ppm水平的水是非常困難的，除非PPR室被非常小心地烘烤并免受水污染。然而，正如我們將看到的，這只是問題的一部分：在濺射系統(tǒng)中使用的m/e 18也有嚴(yán)重的干擾。同位素36Ar的含量為0.34 %。在電子電離過程中，形成雙電荷氬，在m/e 20（40Ar++）和m/e 18（36Ar++）處產(chǎn)生峰。對(duì)于70 eV的電子沖擊能量，36Ar++的典型水平為350 ppm。因此，如果你想在基于Ar的濺射系統(tǒng)中檢測(cè)ppm的水，你必須解決兩個(gè)問題：傳感器排氣的背景干擾和36Ar++在m/e 18的干擾。
一個(gè)徹底的烘烤可以減少背景水對(duì)低幾十ppm水平的貢獻(xiàn)，但消除36Ar++干擾需要使用幾種技巧。一些制造商只是選擇監(jiān)測(cè)m/e 17峰值。對(duì)于70 eV的電離電子，這個(gè)峰在18 amu時(shí)比主峰小4倍。這導(dǎo)致了對(duì)水的檢測(cè)的靈敏度的顯著降低。它還增加了豐度靈敏度的問題，同時(shí)試圖測(cè)量質(zhì)量17的強(qiáng)度旁邊的一個(gè)大的36Ar++峰在18 amu。
一個(gè)更好的選擇（也是推薦給具有可編程電離發(fā)生器電壓的RGAs的選擇）是在電子沖擊能量降低到小于40 eV時(shí)操作電離發(fā)生器。這個(gè)電離能低于Ar++的外觀勢(shì)（43.5 eV）。例如，在操作35 eV電子的RGA時(shí)，由于Ar++，質(zhì)量為18、19和20的峰值消失，這是在36、38和40 amu的Ar+檢測(cè)靈敏度降低最小的情況下實(shí)現(xiàn)的。
不同的電子電離能通常用于選擇性地電離氣體混合物中的物質(zhì)。從一般的質(zhì)譜文獻(xiàn)中可以很容易地得到許多不同氣體的電離勢(shì)表。電子能量的減少通常會(huì)給燈絲帶來額外的工作負(fù)荷，并可能減少其壽命。然而，減少的干擾效應(yīng)抵消了燈絲更換的額外成本。
封閉離子源（CIS）
在需要測(cè)量10−4和10−2Torr之間的壓力的應(yīng)用中，通過用封閉離子源（CIS）采樣系統(tǒng)取代傳統(tǒng)的OIS PPR配置，可以顯著減少背景和工藝氣體干擾的問題。一個(gè)通用的CIS設(shè)置的橫截面如圖3所示。
CIS電離器位于四極質(zhì)量濾波器的頂部，取代了傳統(tǒng)RGA中更傳統(tǒng)的OIS。它由一個(gè)短的氣密管組成，兩個(gè)非常小的電子和離子的出口。電子通過一個(gè)小尺寸的入口狹縫進(jìn)入電離區(qū)。離子在靠近一個(gè)提取板處形成并被吸引，并通過一個(gè)小直徑的圓孔離開電離器。氧化鋁環(huán)密封管從四極質(zhì)量組件的其余部分，并為偏置電極提供電絕緣。離子是由電子在過程壓力下的直接撞擊產(chǎn)生的。
與PPR系統(tǒng)中使用的泵送系統(tǒng)類似，使燈絲和四極組件的其余部分保持在壓力在10−5Torr以下（20個(gè)數(shù)量級(jí)的減壓）。該設(shè)計(jì)非常簡(jiǎn)單，在被四極桿氣相分析儀采用之前，已成功地應(yīng)用于氣相色譜質(zhì)譜儀器多年。大多數(shù)商業(yè)上可用的CIS系統(tǒng)被設(shè)計(jì)為在10−2和10−11Torr之間運(yùn)行，并在10−4和10−2Torr之間的工藝壓力的整個(gè)質(zhì)量范圍內(nèi)提供ppm級(jí)的可檢測(cè)性。
圖3：CIS的原理圖
PPR和CIS系統(tǒng)之間的差異
在選擇最適合特定工藝應(yīng)用程序的傳感器設(shè)置時(shí)，了解CIS設(shè)置和更傳統(tǒng)的基于OIS RGA的PPR之間的性能差異是必不可少的。工藝工程師在為其應(yīng)用程序選擇分析儀配置之前，應(yīng)仔細(xì)權(quán)衡所有差異。
直接抽樣
CIS陽極可以看作是一個(gè)直接連接到工藝室的高電導(dǎo)管。電離區(qū)中的壓力與工藝室中的壓力基本相同。CIS電離器在過程壓力下直接通過電子沖擊產(chǎn)生離子，而質(zhì)譜分析儀的其余部分和燈絲保持在高真空條件下。直接采樣提供了良好的靈敏度（由于可用的大離子密度）和快速的響應(yīng)時(shí)間。“記憶效應(yīng)”，通常與壓力降低和電導(dǎo)孔有關(guān)，是顯著減少的。此外，由于不同氣體分子通過PPR孔徑的分子量依賴性擴(kuò)散系數(shù)而引起的分餾效應(yīng)也不存在。
信號(hào)與背景比
由于CIS中的采樣壓力通常比傳感器真空系統(tǒng)的其他部分高20倍，因此相對(duì)于OIS PPR系統(tǒng)，信號(hào)-背景比顯著增加。在測(cè)量諸如水等常見的殘留氣體時(shí)，這一點(diǎn)尤為重要。為了說明這一點(diǎn)，我們回到10−2TorrAr濺射過程中的水測(cè)量例子。Ar氣體在10−2Torr處直接電離（比OIS PPR高出三個(gè)數(shù)量級(jí)?。┑谙嗤谋尘跋拢?0−9Torr）的剩余水。這個(gè)剩余的水信號(hào)現(xiàn)在對(duì)應(yīng)于CIS系統(tǒng)中水的100 ppb MDPP水平。這是一個(gè)相當(dāng)改進(jìn)的OIS PPR性能！
直接取樣和差分泵送的結(jié)合為即使是最普遍的殘留氣體提供了ppm和亞ppm檢測(cè)極限的潛力。對(duì)于其他常見的干擾，如有機(jī)污染物或燈絲的反應(yīng)副產(chǎn)品，源的氣密設(shè)計(jì)降低了電離區(qū)域的可見性，這些氣體提供一個(gè)非常干凈的殘留氣體質(zhì)譜，避免了OIS PPR設(shè)置中許多質(zhì)譜重疊。
由ESD產(chǎn)生的污染物的干擾在CIS中也減少了，因?yàn)橐粋€(gè)要小得多的電子束穿透電離網(wǎng)。此外，大多數(shù)市售的CIS的內(nèi)壁都涂有高度惰性的材料，如金、鉑包層和純鉬，它們比不銹鋼吸附更少的雜質(zhì)。
CIS能夠直接在mTorr范圍內(nèi)取樣氣體，并在其整個(gè)質(zhì)量范圍內(nèi)提供ppm級(jí)檢測(cè)，這使得CIS系統(tǒng)成為半導(dǎo)體處理應(yīng)用的首選儀器，如PVD、CVD和蝕刻。
離子發(fā)生器污染
在OIS PPR體系中，在燈絲上發(fā)生熱裂化或化學(xué)反應(yīng)的樣品分子可以自由地漂移到電離區(qū)。這是電子沖擊電離器的表面污染物的一個(gè)非常重要的來源。相比之下，CIS的氣密性設(shè)計(jì)降低了氣體源對(duì)這些污染物氣體的可見性，減少了污染和更好的長(zhǎng)期穩(wěn)定性。大多數(shù)CIS制造商在他們的系統(tǒng)中專門使用鎢絲。W可以抵抗許多腐蝕性氣體（如WF6）和活性氣體（如硅烷），最大限度地減少在燈絲上的反應(yīng)，也可以延長(zhǎng)燈絲的壽命。
多用途
當(dāng)與一個(gè)工藝適當(dāng)匹配時(shí)，OIS PPR和CIS系統(tǒng)都是非常通用的儀器，在整個(gè)氣相過程中提供關(guān)鍵的信息。裝有雙路徑氣體入口的PPR系統(tǒng)，可以毫不費(fèi)力地切換高低電導(dǎo)率，從高靈敏度的RGA操作模式切換到過程監(jiān)測(cè)模式。
通過簡(jiǎn)單地改變一些傳感器的電離參數(shù)。CIS氣體分析儀，即使不像RGA那樣敏感，也可以處理工藝室中需要的大多數(shù)殘余氣體分析和泄漏檢查測(cè)試。由于電子入口和離子出口的空穴非常小，CIS的靈敏度降低。然而，在大多數(shù)情況下，在比RGA更高的增益水平上運(yùn)行電子倍增器彌補(bǔ)了靈敏度的降低。典型MDPP值的CIS系統(tǒng)，配備了一個(gè)可選的電子倍增器，并在RGA模式下運(yùn)行，是在10−11Torr左右。這比在RGA模式下打開Hi-C采樣路徑下操作的PPRs可以實(shí)現(xiàn)的MDPP值高出大約20倍。
CIS電離器也可以重新配置，用于在線工藝監(jiān)測(cè)和控制，并在使用點(diǎn)驗(yàn)證工藝氣體的純度。在殘余氣體分析過程中提高電子發(fā)射電流以提高靈敏度，在過程監(jiān)測(cè)過程中降低電子發(fā)射電流，以避免在較高壓力下電離體積中的空間電荷飽和效應(yīng)。
CIS的緊密設(shè)計(jì)使得在較低的電子電離能下操作電離器成為可能。大多數(shù)商用的CIS系統(tǒng)提供至少兩個(gè)70和35 eV的電子能量設(shè)置。70 eV設(shè)置主要用于泄漏測(cè)試和常規(guī)氣體分析。收集到的質(zhì)譜與用標(biāo)準(zhǔn)RGA獲得的質(zhì)譜幾乎相同。在過程監(jiān)測(cè)中使用35 eV設(shè)置，以消除過程氣體干擾峰值。低能量模式的一個(gè)常見應(yīng)用是消除雙電離的36Ar++峰，該峰干擾了濺射過程中18 amu處的水檢測(cè)。具有用戶可編程電離器電壓的CIS系統(tǒng)提供了最高的通用性，因?yàn)樗鼈兛梢员慌渲脼橥ㄟ^仔細(xì)調(diào)整電子沖擊能量來選擇性地在氣體混合物中的電離物質(zhì)。
使用CIS氣體分析儀進(jìn)行高壓采樣
CIS分析儀可以直接取樣氣體高達(dá)約10−2Torr壓力水平。壓力上限是由離子中性碰撞的平均自由程的減少來設(shè)定的，這種碰撞發(fā)生在較高的壓力下，并導(dǎo)致離子的顯著散射和靈敏度的降低。然而，操作并不局限于對(duì)壓力低于10−2Torr時(shí)的氣體進(jìn)行分析。更高的氣體壓力可以通過分壓進(jìn)氣系統(tǒng)（PPR）來取樣，就像它用傳統(tǒng)的RGAs所做的一樣。一個(gè)與CIS分析儀的電導(dǎo)率相匹配的減壓氣體入口系統(tǒng)，將允許傳感器采樣高達(dá)10 Torr的氣體壓力。在PPR系統(tǒng)的情況下，所付出的代價(jià)是降低采樣速度，在樣品入口的氣體混合物的分流，以及在電離器上可能產(chǎn)生的記憶效應(yīng)。
對(duì)于壓力大于10 Torr的情況，進(jìn)入封閉電離器的氣體流量變得非常小，而且時(shí)間響應(yīng)對(duì)于任何實(shí)際測(cè)量來說都太慢。在這些情況下，一個(gè)旁路泵浦氣體采樣系統(tǒng)，具有更大的毛細(xì)管流速和更快的響應(yīng)，是一個(gè)比單一的限制進(jìn)入CIS電離器更好的選擇。
結(jié)論
任何真空處理裝置都可以受益于一個(gè)四極桿氣體分析儀。要很好地了解影響目前不同的四極氣體分析系統(tǒng)性能的不同因素，是為任何應(yīng)用選擇最佳傳感器配置的重要工具。四極桿氣體取樣系統(tǒng)可以從幾個(gè)不同的制造商獲得，通常很難決定哪一個(gè)構(gòu)成了一個(gè)工藝的最佳匹配。在大多數(shù)情況下，有不止一種方法來設(shè)置測(cè)量，而且每個(gè)選擇都涉及到妥協(xié)。更好地理解可用選項(xiàng)之間的基本差異，可以使問題最小化，并使生產(chǎn)力最大化。
隨著四極桿氣體分析儀變得越來越便宜，它們將在所有需要嚴(yán)格控制過程氣體污染水平的行業(yè)中成為普遍現(xiàn)象。
13810146393
在線咨詢
