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DInGaAs系列常溫型銦鎵砷探測器

使用范圍：0.8-1.7μm/2.6μm

 
 
 
 
 
 
 
 
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產(chǎn)品概述

常溫型銦鎵砷探測器（常溫型InGaAs探測器）

●  DInGaAs1650型內(nèi)裝國產(chǎn)InGaAs元件
●  DInGaAs1700-R03M型內(nèi)裝進(jìn)口InGaAs元件
●  DInGaAs2600-R03M型內(nèi)裝進(jìn)口大面積InGaAs元件


光譜響應(yīng)度曲線參考圖

常溫型銦鎵砷探測器型號列表及主要技術(shù)指標(biāo)：
  型號/參數(shù) DInGaAs1650 DInGaAs1700-R03M DInGaAs2600-R03M
光敏面直徑(mm) 3 3 3
波長范圍(nm) 800-1700 800-1700 800-2600
峰值響應(yīng)度(A/W, *小) 0.85 0.9 1.1
暗電流(nA, *大) 200 100 1mA
D*(典型值) - 2.3×10^12 4.1×10^10
NEP(典型值) - 1.2×10^-13 6.5×10^-12
阻抗(MΩ) 1 1.5 320Ω
電容(pF) 1500 800 9000
響應(yīng)時間(ns) 160 100 1μs
信號輸出模式 電流 電流 電流
輸出信號極性 正（P） 正（P） 正（P）