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DInGaAs(x)-TE

DInGaAs系列TE制冷型銦鎵砷探測(cè)器

使用范圍:0.8-1.7μm/2.6μm
 
 
 
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產(chǎn)品概述

TE 制冷型銦鎵砷探測(cè)器DInGaAs(x)-TE 具有相同的外觀設(shè)計(jì),其探測(cè)元件均使用進(jìn)口二級(jí)制冷銦鎵砷探測(cè)器。

光譜響應(yīng)度曲線參考圖(虛線為某款國(guó)產(chǎn)InGaAs對(duì)比曲線)
 
銦鎵砷探測(cè)器使用建議:
■ DInGaAs系列和DInGaAs-TE系列銦鎵砷探測(cè)器均為電流輸出模式的光電探測(cè)器,在接入示波器、鎖相放大器等要求電壓輸入的信號(hào)處理器前,建議采用I-V跨導(dǎo)放大器ZAMP做為前級(jí)放大并轉(zhuǎn)換為電壓信號(hào);標(biāo)明可輸入電流信號(hào)的信號(hào)處理器可直接接入信號(hào),但仍建議增加前置放大器以提高探測(cè)靈敏度;
 
■ DInGaAs系列和DInGaAs-TE系列銦鎵砷探測(cè)器配合DCS300PA數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)使用時(shí),由于DCS300PA雙通道已集成信號(hào)放大器,故可不再需要另行選配前置放大器;
 
■ 制冷型DInGaAs-TE系列銦鎵砷探測(cè),在制冷模式時(shí)須使用溫控器(型號(hào):ZTC)進(jìn)行降溫控制;
 
型號(hào)/參數(shù) DInGaAs1700-TE DInGaAs2600-TE DInGaAs2600H-TE

光敏面直徑(mm)

3

3

3

波長(zhǎng)范圍(nm)

800-1700

800-2600

800-2600

峰值響應(yīng)度(A/W)

0.9

1.2

1.3

D*(典型值)

8.4×10^13

4.9×10^11

4.5×10^11

NEP(典型值)

3.2×10^-15

5.5×10^-13

6×10^-13

溫控器型號(hào)

ZTC

ZTC

ZTC-H

探測(cè)器溫度(℃)

-40

-40

-20

溫度穩(wěn)定度(℃)

±0.5

±0.5

±0.5

環(huán)境溫度(℃)

+10~+40

+10~+40

+10~+40

信號(hào)輸出模式

電流

電流

電流

輸出信號(hào)極性

正(P)

正(P)

正(P)

匹配前置放大器型號(hào)

ZPA-7

ZPA-7

Preamplifier