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應(yīng)用

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產(chǎn)品類型

行業(yè)應(yīng)用

?第三代半導(dǎo)體的光致發(fā)光光譜測(cè)量

光致發(fā)光光譜定義為當(dāng)一束光子能量足夠高（大于半導(dǎo)體材料的禁帶寬度Eg）的激光入射到半導(dǎo)體材料上，會(huì)將價(jià)帶的電子激發(fā)到導(dǎo)帶，從而在該材料中產(chǎn)生大量的電子空穴對(duì)，形成非平衡載流子。這些非平衡載流子隨即通過(guò)各種散射過(guò)程快速弛豫到相應(yīng)能帶的底部，最后發(fā)生復(fù)合產(chǎn)生熒光。采集該復(fù)合發(fā)光的光譜即稱為光致發(fā)光光譜。
稀土上轉(zhuǎn)換發(fā)光及其光電產(chǎn)品推薦

1、稀土上轉(zhuǎn)換發(fā)光的概念；2、稀土上轉(zhuǎn)換發(fā)光的原理；3、稀土上轉(zhuǎn)換發(fā)光的應(yīng)用；4、稀土上轉(zhuǎn)換發(fā)光相關(guān)光電產(chǎn)品；5、幾個(gè)容易混淆的“上轉(zhuǎn)換”概念；
熒光粉Sr2.99-xCax(P04)2:Eu2+0.01(x=0.6，0.7，0.8，0.9，1.0) PL光譜

氧 (氮)化物熒光粉材料以其高發(fā)光效率、可被可見光有效激發(fā)、穩(wěn)定性高和環(huán)境友好等諸多優(yōu)點(diǎn)，在固體發(fā)光領(lǐng)域受到廣泛重視。其中，稀土摻雜的熒光粉由于表現(xiàn)出較高的發(fā)光強(qiáng)度、較高的量子效率和優(yōu)異的熱穩(wěn)定性，具有較好的應(yīng)用前景。銪(Eu)元素在化合物中存在Eu2+和Eu3+兩種價(jià)態(tài)。Eu2+發(fā)射峰位易受晶體場(chǎng)影響的，即基體或者參雜材料的改變(濃度、元素等)，發(fā)射峰的強(qiáng)度會(huì)發(fā)生變化，發(fā)射中心會(huì)發(fā)生紅移或者藍(lán)移；Eu3+的發(fā)射峰是由其自身決定的，比較尖銳、峰位不受晶體場(chǎng)的影響。
閃爍晶體熒光光譜測(cè)試

閃爍晶體到底是什么？可能很多人都沒聽過(guò)這個(gè)詞，但其實(shí)，在我們的日常生活中并不陌生。閃爍體是一種當(dāng)被電離輻射激發(fā)之后會(huì)表現(xiàn)出發(fā)光特性的材料，是將高能轉(zhuǎn)換為可見光的一種典型光電轉(zhuǎn)換材料，可用于輻射探測(cè)和安全防護(hù)，通常在應(yīng)用中將其加工成晶體，稱為閃爍晶體。
冷CCD在微光顯微鏡(EMMI)的應(yīng)用

半導(dǎo)體器件和電路制造技術(shù)飛速發(fā)展，器件特征尺寸不斷下降，而集成度不斷上升。這兩方面的變化都給失效缺陷定位和失效機(jī)理的分析帶來(lái)巨大的挑戰(zhàn)。對(duì)于半導(dǎo)體失效分析(FA)而言，微光顯微鏡(Emission Microscope, EMMI)是一種相當(dāng)有用且效率極高的分析工具。微光顯微鏡其高靈敏度的偵測(cè)能力，可偵測(cè)到半導(dǎo)體組件中電子－電洞對(duì)再結(jié)合時(shí)所發(fā)射出來(lái)的光線，能偵測(cè)到的波長(zhǎng)約在350nm ~ 1100nm 左右。它可以廣泛的應(yīng)用于偵測(cè)IC 中各種組件缺陷所產(chǎn)生的漏電流，如： Gate oxide defects / Leakage、Latch up、ESD failure、junction Leakage等。EMMI的工作原理圖如下: