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近期,安徽大學(xué)李亮課題組通過化學(xué)氣相沉積技術(shù)生長(zhǎng)了高度各向異性的二維PdSe2晶體,基于光電熱效應(yīng)制備了基于零偏壓驅(qū)動(dòng)的二維偏振光電探測(cè)器,可實(shí)現(xiàn)在零偏壓下探測(cè)超寬范圍波長(zhǎng)甚至是任意波長(zhǎng),該探測(cè)器具有超寬范圍響應(yīng)、空氣穩(wěn)定,偏振光響應(yīng), 響應(yīng)度高等優(yōu)勢(shì)。需要指出的是,通過引入熱載流子輔助導(dǎo)熱打破了傳統(tǒng)熱探測(cè)器響應(yīng)速度慢的限制,實(shí)現(xiàn)了超快光熱電響應(yīng)(4?μs),是目前已知的基于PdSe2光電探測(cè)器中響應(yīng)速度最快的,這可能為發(fā)展超快超寬偏振光探測(cè)提供一定的實(shí)驗(yàn)基礎(chǔ)。
近年來,柔性表面增強(qiáng)拉曼(SERS)基底受到極大關(guān)注,尤其面對(duì)表面污染殘留物的檢測(cè),可直接擦拭檢測(cè),且無損或極小損傷。目前常用的有紙基、玻璃纖維、棉織布等,制備方法主要是將貴金屬納米粒子組裝在柔性基質(zhì)表面。然而由于貴金屬粒子裸露在表面,缺乏必要的保護(hù),擦拭檢測(cè)后貴金屬粒子易受到損害,僅一次性使用,難于重復(fù)使用,難于滿足一些特殊的、惡劣環(huán)境(如抗超聲破壞、強(qiáng)酸堿介質(zhì)、高溫低溫環(huán)境)的應(yīng)用需求。
與單晶或多晶Ga2O3相比,非晶Ga2O3材料具有明顯的成本優(yōu)勢(shì)。本研究開發(fā)出了一種具有超高性能和柵極可調(diào)光檢測(cè)能力的非晶Ga2O3日盲場(chǎng)效應(yīng)光電晶體管,并對(duì)其光電性能進(jìn)行了全面調(diào)研。射頻磁控濺射用于在經(jīng)濟(jì)的Si/SiO2襯底上沉積非晶GaOx薄膜。通過施加適當(dāng)?shù)谋硸烹妷海╒G),可以很好地控制場(chǎng)效應(yīng)光電晶體管的光電性能和暗電流。制成的日盲型GaOx薄膜場(chǎng)效應(yīng)光電晶體管具有出色的深紫外光光電探測(cè)特性,包括4.1×103 AW-1的超高光敏性,2.5×1013?Jones的高探測(cè)率,以及極高的外量子效率。在70 μW cm-2的254 nm的弱光照下,外量子效率為2×106%,光電導(dǎo)增益為1.6×107。還揭示了光檢測(cè)特性取決于偏置電壓和光強(qiáng)度。另外,成功地展示了GaOx光電晶體管作為感測(cè)像素的日盲成像功能。獲得了目標(biāo)的清晰圖像,這是有關(guān)非晶GaOx?探測(cè)器日盲成像的第一次報(bào)道。這些結(jié)果,加上其易于制造和低成本,使得該日盲非晶GaOx薄膜場(chǎng)效應(yīng)光電晶體管有望用于下一代光電成像應(yīng)用。
由于可以廣泛用于光學(xué)成像,空間光通信,導(dǎo)彈制導(dǎo)和定位導(dǎo)航等領(lǐng)域,作為現(xiàn)代光電設(shè)備中關(guān)鍵組件的光電探測(cè)器(PD)近年來已引起越來越多的研究興趣。目前,商用光電探測(cè)器主要基于Si光電二極管,是因?yàn)樗牡统杀竞团c高度成熟的硅工藝帶來的高度兼容性。在280 nm以下的波長(zhǎng)下工作的深紫外光電探測(cè)器(深紫外光PD)尚未十分成熟,它們是近年來在火焰探測(cè),導(dǎo)彈預(yù)警系統(tǒng),機(jī)密空間通信,深紫外線成像機(jī)方面具有潛在應(yīng)用的研究熱點(diǎn)。能隙為4.7-4.9 eV的Ga2O3材料,由于其高輻射耐受性,高熱穩(wěn)定性和化學(xué)穩(wěn)定性以及在深紫外區(qū)域的強(qiáng)吸收性,是未來有發(fā)展前景的深紫外光PD的候選項(xiàng)。
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