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日盲光電探測(cè)器對(duì)波長在220-280 nm范圍內(nèi)的光敏感，在軍事和商業(yè)領(lǐng)域都有著廣泛的應(yīng)用，例如光學(xué)追蹤、光通信和成像。得益于優(yōu)越的材料和電學(xué)特性，包括良好的熱學(xué)和化學(xué)穩(wěn)定性、優(yōu)異的抗輻照性能以及直接對(duì)應(yīng)日盲區(qū)域的光探測(cè)波長，寬禁帶半導(dǎo)體材料具備更顯著的優(yōu)勢(shì)。在過去的幾年里，由于Ga2O3相關(guān)材料的優(yōu)異的抗輻照特性、良好的熱穩(wěn)定性以及4.7-5.3 eV直接對(duì)應(yīng)于日盲波段的超寬禁帶寬度，已經(jīng)引起了廣泛的關(guān)注。目前，幾乎所有關(guān)于Ga2O3 PDs的研究都是基于a-或β-Ga2O3材料，然而，探測(cè)器的光電性能不盡如人意，并且增益機(jī)制尚未分析確定。因此，ε-Ga2O3的材料和光電特性有待進(jìn)一步研究。

Ga2O3有著4.7-5.2eV的寬禁帶，本質(zhì)上適合日盲光電探測(cè)器。Ga2O3有五種同構(gòu)異形體，單斜β-Ga2O3薄膜因其高溫度穩(wěn)定性已經(jīng)有了大量的研究。其他相，特別是α-、γ-、δ-和ε-Ga2O3很少被研究。最近由于ε-Ga2O3其有高度對(duì)稱的六面體結(jié)構(gòu)，有可能將氮化物和ε-Ga2O3結(jié)合起來，形成致力于光電應(yīng)用的III-氧化物/III-氮化物異質(zhì)結(jié)器件結(jié)構(gòu)，因此而廣受科研工作者關(guān)注。

近中紅外光廣泛應(yīng)用于光纖通信、醫(yī)療、遙感探測(cè)、說環(huán)境監(jiān)控等應(yīng)用領(lǐng)域，高效、穩(wěn)定、緊湊的近中紅外光光源是這些應(yīng)用得以實(shí)施的基礎(chǔ)。

Cu(In,Ga)Se2（CIGS）是I-III-VI組化合物半導(dǎo)體材料，具備黃銅礦晶體結(jié)構(gòu)，以它為吸收層的太陽能電池為CIGS薄膜太陽能電池，具備光電轉(zhuǎn)換效率高、電池穩(wěn)定性好、抗輻照能力強(qiáng)、弱光性好等優(yōu)勢(shì)。液相法制備CIGS電池實(shí)現(xiàn)了17.3%轉(zhuǎn)換效率，雖然與真空法的23.35%相比仍有一定的差距，但由于液相法制備薄膜具有成本低、原料利用率高、可以實(shí)現(xiàn)卷對(duì)卷制備等優(yōu)點(diǎn)，仍具有巨大的潛在發(fā)展優(yōu)勢(shì)。

硫?qū)俦∧ぬ柲茈姵匾蚱涞统杀尽犊烧{(diào)和高輸出性能而進(jìn)入了一個(gè)蓬勃發(fā)展的時(shí)期，元素含量豐富的鋅黃錫礦Cu2ZnSn(S,Se)4(CZTSSe)是將CIGS中稀有貴金屬In和Ga用元素Zn和Sn替換，不僅與CIGS有著相似的結(jié)構(gòu)和光電學(xué)性能，也具備獨(dú)特優(yōu)點(diǎn)，如儲(chǔ)量豐富、價(jià)格低廉、無毒害等。