高性能柵極可調(diào)非晶Ga2O3薄膜光電晶體管及其日盲成像
與單晶或多晶Ga2O3相比，非晶Ga2O3材料具有明顯的成本優(yōu)勢。本研究開發(fā)出了一種具有超高性能和柵極可調(diào)光檢測能力的非晶Ga2O3日盲場效應(yīng)光電晶體管，并對其光電性能進(jìn)行了全面調(diào)研。射頻磁控濺射用于在經(jīng)濟(jì)的Si/SiO2襯底上沉積非晶GaOx薄膜。通過施加適當(dāng)?shù)谋硸烹妷海╒G），可以很好地控制場效應(yīng)光電晶體管的光電性能和暗電流。制成的日盲型GaOx薄膜場效應(yīng)光電晶體管具有出色的深紫外光光電探測特性，包括4.1×103 AW-1的超高光敏性，2.5×1013?Jones的高探測率，以及極高的外量子效率。在70 μW cm-2的254 nm的弱光照下，外量子效率為2×106％，光電導(dǎo)增益為1.6×107。還揭示了光檢測特性取決于偏置電壓和光強(qiáng)度。另外，成功地展示了GaOx光電晶體管作為感測像素的日盲成像功能。獲得了目標(biāo)的清晰圖像，這是有關(guān)非晶GaOx?探測器日盲成像的第一次報(bào)道。這些結(jié)果，加上其易于制造和低成本，使得該日盲非晶GaOx薄膜場效應(yīng)光電晶體管有望用于下一代光電成像應(yīng)用。
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