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鈣鈦礦(Perovskite)材料是一類有著與鈦酸鈣(CaTiO3)相同晶體結(jié)構(gòu)的材料。 鈣鈦礦材料結(jié)構(gòu)式一般為ABX3,其中A,B是兩種陽(yáng)離子,X 是陰離子。 近200年來(lái),人們對(duì)鈣鈦礦材料的研究從未停止,元素周期表幾乎所有的元素都可以占據(jù)晶格結(jié)構(gòu)的位置組成鈣鈦礦。鈣鈦礦大家族里現(xiàn)已包括數(shù)百種物質(zhì),范圍極為廣泛,其中很多是人工合成的。 這類材料具有獨(dú)特的魅力,其多變的晶體結(jié)構(gòu)可以引申出眾多的材料屬性:可以是絕緣體、半導(dǎo)體、導(dǎo)體、超導(dǎo)體,可以具有鐵電性、鐵磁性,鐵彈性、催化性、質(zhì)子傳導(dǎo)性、離子傳導(dǎo)性、光電性。
概念解釋:暗場(chǎng)顯微(英文:Dark-field microscopy)或稱暗視野顯微(英文:Dark ground microscopy)描述光學(xué)顯微和電子顯微中的一種特殊顯微手法,除去觀測(cè)物體以外的光線或電子進(jìn)入物鏡,使目鏡中觀測(cè)到的視野背景是黑的,只有物體的邊緣是亮的。利用這個(gè)方法能見(jiàn)到小至 4~200nm的微粒子,分辨率可比普通顯微法高50倍。
閃爍晶體到底是什么?可能很多人都沒(méi)聽(tīng)過(guò)這個(gè)詞,但其實(shí),在我們的日常生活中并不陌生。閃爍體是一種當(dāng)被電離輻射激發(fā)之后會(huì)表現(xiàn)出發(fā)光特性的材料,是將高能轉(zhuǎn)換為可見(jiàn)光的一種典型光電轉(zhuǎn)換材料,可用于輻射探測(cè)和安全防護(hù),通常在應(yīng)用中將其加工成晶體,稱為閃爍晶體。
硫化銦(In2S3 )[1]是一種具有極高潛在利用價(jià)值的半導(dǎo)體材料,可作為CIGS薄膜太陽(yáng)能電池的緩沖層材料,并有望作為Cds緩沖層的替代材料,在光伏與光電器件上有很好的應(yīng)用前景。 In2S3在常溫常壓下比較穩(wěn)定,屬于立方晶系,具有四面體和八面體的空間結(jié)構(gòu),并存在高密度的In空位。 一般存在α、β、r 3種相,常溫下穩(wěn)定的為β 相。
半導(dǎo)體器件和電路制造技術(shù)飛速發(fā)展,器件特征尺寸不斷下降,而集成度不斷上升。這兩方面的變化都給失效缺陷定位和失效機(jī)理的分析帶來(lái)巨大的挑戰(zhàn)。對(duì)于半導(dǎo)體失效分析(FA)而言,微光顯微鏡(Emission Microscope, EMMI)是一種相當(dāng)有用且效率極高的分析工具。微光顯微鏡其高靈敏度的偵測(cè)能力,可偵測(cè)到半導(dǎo)體組件中電子-電洞對(duì)再結(jié)合時(shí)所發(fā)射出來(lái)的光線,能偵測(cè)到的波長(zhǎng)約在350nm ~ 1100nm 左右。 它可以廣泛的應(yīng)用于偵測(cè)IC 中各種組件缺陷所產(chǎn)生的漏電流,如: Gate oxide defects / Leakage、Latch up、ESD failure、junction Leakage等。EMMI的工作原理圖如下:
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